У результаті вивчення модуля студент повинен володіти такими компетентностями:
- уміння аналізувати принцип дiї, властивостi, основнi характеристики i параметри напiвпровiдникових приладiв на основi структур метал-окис-напiвпровiдник i елементiв iнтегральних мiкросхем;
- здатність проводити математичний аналіз роботи напівпровідникових приладів в мікро- і наноелектроніці;
- здатність проводити аналіз зміни параметрів і властивостей приладів на основі структур метал-окис-напівпровідник і елементів ІС в залежності від режимів роботи.
- здатність проектувати мікро- та наносистемні пристрої з використанням придажів на основі МОН структур

- пререквізит: Моделі та явища перенесення
- кореквізити: -

Квантово-розмірні ефекти в твердотільних приладах. Рiзновидностi транзисторних структур інтегральних схем. Особливостi МОН-транзисторiв з малими геометричними розмiрами. Польові транзистори з резонансним тунелюванням. Електронні прилади на наноструктурах.

• Дружинiн А.О. Твердотільна електроніка: Фізичні основи і властивості напівпровідникових приладів: Навчальний посібник..- Львiв: видав.; НУ ЛП, 2009..-332 с.
• Дружинін А.О., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Нічкало С.І. Прилади на основі МОН-структур в мікро- та наноелектроніці: конспект лекцій для магістрів та спеціалістів спеціальності 7.05080101 (8.05080101) “Мікро- і наноелектронні прилади та пристрої”. – Львів: Видавництво Львівської політехніки, 2013. – 68 с.
• Ховерко Ю.М. Технологія елементів зінтегрованих схем мікро- та наноситемної техніки: навчальний посібник / Ю.М. Ховерко, І.П. Островський, А.О. Дружинін.– Львів: Видавництво Львівської політехніки, 2018.– 172 c.

• Поточний контроль (30%): письмові звіти з лабораторних робіт, усне опитування
• Підсумковий контроль (70 %, іспит): тестування (30%).