В результаті вивчення дисципліни студент повинен продемонструвати такі результати навчання:
- розуміти основні фізичні принципи функціонування елементної бази твердотільної електроніки;
- знати структури та конструкції твердотільних пристроїв;
- демонструвати знання та вміння проектувати пристрої твердотільної електроніки;
- демонструвати знання та вміння моделювання параметрів пристроїв твердотільної електроніки;
- здатність провести вибір елементної бази у відповідності до параметрів електронного пристрою;
- здатність демонструвати результати власного розроблення електронних пристроїв;
- демонструвати знання сучасних тенденцій розвитку твердотільної електроніки.

Фізичні основи електронної техніки

Фізичні основи функціонування елементів твердотільної електроніки. Напівпровідникові діоди. Біполярні транзистори. Елементи на тиристорних структурах. Польові МДН транзистори. Елементна база на МДН структурах. Польові транзистори з керуючим p-n переходом. Біполярно-польові транзистори BJFET. Елементна база квантової електроніки. Математичне та схемотехнічне моделювання елементної бази твердотільної електроніки.

1. Фізичні основи електронної техніки: Підручник / З.Ю. Готра, І.Є. Лопатинський, Б.А. Лукіянець, З.М. Микитюк, І.В. Петрович – Львів: Видавництво „Бескид Біт”, 2004.
2. Голяка Р.Л. Конспект лекцій з предмету “Елементна база твердотільної електроніки”. Електронний варіант. – 2009..
3. Голяка Р.Л. Відео презентації з предмету “Елементна база твердотільної електроніки” – 2009.
4. Дружинін А. О. Твердотільна електроніка. Фізичні основи і властивості напівпровідникових приладів:навч. посіб. / Нац. ун-т "Львів. політехніка".– Л.:Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2009.
5. Наноелектроніка. Науково-навчальне видання. За ред. З.Ю.Готри. – Львів: Ліга-Прес, 2009.

Поточний контроль: письмові звіти з лабораторних робіт, усне опитування, контрольні роботи – 40 балів (40%). Підсумковий контроль: контрольний захід екзамен, письмово-усна форма – 60 балів (60%).