Ви переглядаєте архівну версію офіційного сайту НУЛП (2005-2020р.р.). Актуальна версія: https://lpnu.ua
Функціональна електроніка, частина 1
Спеціальність: Електроніка
Код дисципліни: 6.171.00.O.52
Кількість кредитів: 5
Кафедра: Електронні прилади
Лектор: асистент Дупляк Іван Ярославович
Семестр: 4 семестр
Форма навчання: денна
Результати навчання:
- знати умови поширення світла в вакуумі і середовищі;
- знати зонні енергетичні діаграми напівпровідникових матеріалів і можливі квантові переходи в них;
- знати умови оптичного поглинання в напівпровідниках та оптичні ефекти в неоднорідних напівпровідникових структурах.
- вміти пояснити фізичні процеси, які відбуваються в напівпровідникових матеріалах під дією оптичного випромінювання;
- вміти пояснити фізичні принципи роботи: фото резистора, фото діода, фотоелемента.
- знати зонні енергетичні діаграми напівпровідникових матеріалів і можливі квантові переходи в них;
- знати умови оптичного поглинання в напівпровідниках та оптичні ефекти в неоднорідних напівпровідникових структурах.
- вміти пояснити фізичні процеси, які відбуваються в напівпровідникових матеріалах під дією оптичного випромінювання;
- вміти пояснити фізичні принципи роботи: фото резистора, фото діода, фотоелемента.
Необхідні обов'язкові попередні та супутні навчальні дисципліни:
Фізика «Оптика»
Спец. Розділи фізики «Фізика твердого тіла»
Фізика напівпровідників і діелектриків «Зонні діаграми напівпровідникових матеріалів; р-п-перехід; гетероперехід»
Спец. Розділи фізики «Фізика твердого тіла»
Фізика напівпровідників і діелектриків «Зонні діаграми напівпровідникових матеріалів; р-п-перехід; гетероперехід»
Короткий зміст навчальної програми:
Предмет дисципліни та її завдання. Взаємодія світла з речовиною і елементи фізичної оптики. Квантові переходи при взаємодії з електромагнітним випроміненням. Поширення світла в матеріальному середовищі. Елементи кристалооптики. Оптика напівпровідників. Фотоелектричні ефекти в однорідних структурах. Рекомбінаційні процеси в напівпровідниках. Люмінесценція. Гетеропереходи.
Рекомендована література:
1. А.Н. Пихтин, Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники, 1983. - М.:- Высшая школа
2. Оптоэлектроника, под ред. Пахомова Й.Й.. - М.:- Энергоиздат
3. Л.С. Шарупич, Оптоэлектроника. 1984.. - М.:- Сов. радио
4. Ю.Р. Носов, Оптоэлектроника. 1977.. - М. :-Мир
5. Я. Суэмацу. Основы оптоэлектроники, 1988.
6. Фізичні основи електронної техніки, за ред.. З.Ю. Готри., 2002. - Львів.
1. А.Н. Пихтин, Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники, 1983. - М.:- Высшая школа
2. Оптоэлектроника, под ред. Пахомова Й.Й.. - М.:- Энергоиздат
3. Л.С. Шарупич, Оптоэлектроника. 1984.. - М.:- Сов. радио
4. Ю.Р. Носов, Оптоэлектроника. 1977.. - М. :-Мир
5. Я. Суэмацу. Основы оптоэлектроники, 1988.
6. Фізичні основи електронної техніки, за ред.. З.Ю. Готри., 2002. - Львів.
Методи і критерії оцінювання:
Лабораторні заняття (20%)
Практичні (семінарські) заняття (20%)
Підсумкове оцінювання (60%)
Практичні (семінарські) заняття (20%)
Підсумкове оцінювання (60%)
Функціональна електроніка, частина 1 (курсова робота)
Спеціальність: Електроніка
Код дисципліни: 6.171.00.O.54
Кількість кредитів: 2
Кафедра: Електронні прилади
Лектор: асистент Дупляк Іван Ярославович
Семестр: 4 семестр
Форма навчання: денна
Результати навчання:
- знати умови поширення світла в вакуумі і середовищі;
- знати зонні енергетичні діаграми напівпровідникових матеріалів і можливі квантові переходи в них;
- знати умови оптичного поглинання в напівпровідниках та оптичні ефекти в неоднорідних напівпровідникових структурах.
- вміти пояснити фізичні процеси, які відбуваються в напівпровідникових матеріалах під дією оптичного випромінювання;
- вміти пояснити фізичні принципи роботи: фото резистора, фото діода, фотоелемента.
- знати зонні енергетичні діаграми напівпровідникових матеріалів і можливі квантові переходи в них;
- знати умови оптичного поглинання в напівпровідниках та оптичні ефекти в неоднорідних напівпровідникових структурах.
- вміти пояснити фізичні процеси, які відбуваються в напівпровідникових матеріалах під дією оптичного випромінювання;
- вміти пояснити фізичні принципи роботи: фото резистора, фото діода, фотоелемента.
Необхідні обов'язкові попередні та супутні навчальні дисципліни:
Фізика «Оптика»
Спец. Розділи фізики «Фізика твердого тіла»
Фізика напівпровідників і діелектриків «Зонні діаграми напівпровідникових матеріалів; р-п-перехід; гетероперехід»
Спец. Розділи фізики «Фізика твердого тіла»
Фізика напівпровідників і діелектриків «Зонні діаграми напівпровідникових матеріалів; р-п-перехід; гетероперехід»
Короткий зміст навчальної програми:
Предмет дисципліни та її завдання. Взаємодія світла з речовиною і елементи фізичної оптики. Квантові переходи при взаємодії з електромагнітним випроміненням. Поширення світла в матеріальному середовищі. Елементи кристалооптики. Оптика напівпровідників. Фотоелектричні ефекти в однорідних структурах. Рекомбінаційні процеси в напівпровідниках. Люмінесценція. Гетеропереходи.
Рекомендована література:
1. А.Н. Пихтин, Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники, 1983. - М.:- Высшая школа
2. Оптоэлектроника, под ред. Пахомова Й.Й.. - М.:- Энергоиздат
3. Л.С. Шарупич, Оптоэлектроника. 1984.. - М.:- Сов. радио
4. Ю.Р. Носов, Оптоэлектроника. 1977.. - М. :-Мир
5. Я. Суэмацу. Основы оптоэлектроники, 1988.
6. Фізичні основи електронної техніки, за ред.. З.Ю. Готри., 2002. - Львів.
1. А.Н. Пихтин, Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники, 1983. - М.:- Высшая школа
2. Оптоэлектроника, под ред. Пахомова Й.Й.. - М.:- Энергоиздат
3. Л.С. Шарупич, Оптоэлектроника. 1984.. - М.:- Сов. радио
4. Ю.Р. Носов, Оптоэлектроника. 1977.. - М. :-Мир
5. Я. Суэмацу. Основы оптоэлектроники, 1988.
6. Фізичні основи електронної техніки, за ред.. З.Ю. Готри., 2002. - Львів.
Методи і критерії оцінювання:
Курсова робота (100%)