В результаті вивчення цього змістового модуля студент повинен:
- знати логіку сучасного етапу розвитку напівпровідникової електроніки, його основні тенденції і напрямки, основні технологічні, експериментальні і теоретичні досягнення в сфері виробництва і дослідження новітніх класів нанооб’єктів.
- вміти використовувати на практиці набуті знання з фізики і технології двомірних, одномірних, нульмірних квантових наноструктур і надґраток, користуватися науковою літературою, присвяченою даним проблемам, ставити експерименти з одержання і дослідженню найпростіших аналогів наноструктур і самостійно аналізувати їх результати.

пререквізит: Фізика, Фізика напівпровідників і діелектриків.
кореквізити: Нанофотоніка

Поняття надграток, основних методів їх отримання. Фізичні наслідки квантового обмеження геометричних розмірів реальних фізичних об’єктів. Квантові точки. Енергетичний спектр елементарних збуджень в квантових точках. Фізичні властивості дискретних наноструктур: квантовий ефект Холла, балістична провідність, кулонівська блокада. Енергетичний спектр надґраток їх фізичні властивості та можливості приладного застосування. Фулерени і нанотрубки: виготовлення, структура, властивості та перспективи приладного застосування.

Д.М. Заячук, Нанотехнології і наноструктури. Львів, 2009.
Д.М. Заячук, Низькорозмірні структури і надґратки. Львів, 2006.
Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем. – Санкт-Петербург: Наука, 2001.
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры // Под ред. Л. Ченга и К. Плога, М: Мир, 1989.
М.Херман, Полупроводниковые сверхрешетки. М.,Мир, 1989.

Поточний контроль (30 %); підсумковий контроль (70 %)