Ви переглядаєте архівну версію офіційного сайту НУЛП (2005-2020р.р.). Актуальна версія: https://lpnu.ua
Сучасні методи досліджень реальної структури матеріалів мікро-наносистемної техніки
Спеціальність: Фізична та біомедична електроніка
Код дисципліни: 7.153.03.O.4
Кількість кредитів: 6
Кафедра: Напівпровідникова електроніка
Лектор: Д.х.н., проф. Василечко Леонід Орестович
Семестр: 1 семестр
Форма навчання: денна
Результати навчання:
У результаті вивчення модуля студент повинен:
- знати основи теорії взаємодії синхротронного, нейтронного та рентгенівського випромінювання з речовиною,
- орієнтуватись в сучасних напрямках розвитку методів дослідження складу та структури матеріалів,
- вміти вибирати оптимальні методи дослідження кристалічної структури та структурної досконалості кристалів,
- користуватися основними комп'ютерними програмами для дослідження фазового складу та структури речовини
- знати основи теорії взаємодії синхротронного, нейтронного та рентгенівського випромінювання з речовиною,
- орієнтуватись в сучасних напрямках розвитку методів дослідження складу та структури матеріалів,
- вміти вибирати оптимальні методи дослідження кристалічної структури та структурної досконалості кристалів,
- користуватися основними комп'ютерними програмами для дослідження фазового складу та структури речовини
Необхідні обов'язкові попередні та супутні навчальні дисципліни:
- пререквізит: Кристалофізика; Взаємодія електромагнітного випромінювання з матервалами мікронаноситемної техніки
- кореквізити: Матеріали та елементи лазерних медичних ситем та детекторів радіації
- кореквізити: Матеріали та елементи лазерних медичних ситем та детекторів радіації
Короткий зміст навчальної програми:
Синхротронне випромінювання, нейтрони та рентгенівське випромінювання: джерела, детектори, оптика; теорія взаємодії випромінювання з речовиною; особливості дослідження структури матеріалів з використанням синхротронного випромінювання та нейтронів; дослідження кристалічної структури та розподілу електронної густини; реальна структура об’ємних та тонкоплівкових матеріалів; In situ низько- та високотемпературна дифракція та дослідження структури матеріалів при підвищених тисках; методи протяжної тонкої структури рентгенівського спектру (EXAFS) та ближньої тонкої структури рентгенівського поглинання (XANES) та їх застосування для аналізу структури матерії.
Рекомендована література:
• Powder Diffraction. Theory and Practice. Ed.’s: R.E. Dinnebier and S.J.L. Billinge. – Cambridge, The Royal Society of Chemistry, 2008. – 582 p.
• Проблемы современной кристаллографии. Структурные исследования кристаллов. – М.: Наука, 1996. – 489 с.
• Уманский Я., Скоков Ю., Иванов Л., Расторгуев Л. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. –М.: Металлургия, 1982. – 631 с.
• Pecharsky V.K. and Zavalij P.Y. Fundamentals of Powder Diffraction and Structural characterization of Materials. – Boston: Kluwer Academic Publishers, 2003. – 713 p.
• Проблемы современной кристаллографии. Структурные исследования кристаллов. – М.: Наука, 1996. – 489 с.
• Уманский Я., Скоков Ю., Иванов Л., Расторгуев Л. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. –М.: Металлургия, 1982. – 631 с.
• Pecharsky V.K. and Zavalij P.Y. Fundamentals of Powder Diffraction and Structural characterization of Materials. – Boston: Kluwer Academic Publishers, 2003. – 713 p.
Методи і критерії оцінювання:
• Поточний контроль (30%): письмові звіти з лабораторних робіт
• Підсумковий контроль (70 %, екзамен): письмові відповіді та усне опитування
• Підсумковий контроль (70 %, екзамен): письмові відповіді та усне опитування