Знати
- сучаних теорій про будову металів і сплавів;
- принципи дифракції рентгенівського випромінювання;
- типи дефектів у кристалах;
- термодинаміку утворення фаз та твердих розчинів.
Вміти
- проводити фазовий та структурний аналіз сплавів;
- уточнювати кристалічну структуру матеріалу;
- визначати модель кристалічної структури матеріалу.
- визначати тип та концентрацію дефектів матеріалу.
Володіти
- методом Рітвельда
- методами фазового аналізу
- навиками по роботі зі спеціалізованим програмним забезпеченням та базами даних.

Пререквізити:
1. Chemistry
2. Фізика;
3. Кристалографія;
4. Сучасне матеріалознавство.
Кореквізити:
1. Фізичні властивості та методи дослідження матеріалів.

Природа та властивості X-променів. Джерела Х-променів. Розуміння порошкових дифрактограм. Структурна амплітуда. Перетворення Фур’є. Метод Патерсона. Прямі методи. Кристалографічні бази даних. Алгоритми автоматичного ab initio індексування. Метод Рітвельда. Структурні та хімічні дефекти. Механізми утворення точкових дефектів. Основні типи дислокацій. Границi зерен i субзерен. Дифузія у кристалах. Основи статистичної теорiї розчинiв. Класифікація фаз і сплавів.

1. V.K. Pecharsky, P.Y. Zavalij, Fundamentals of powder diffraction and structural characterization of materials. – Springer, 2005. – 713p.
2. Дяченко С.С., Дощечкіна І.В., Мовлян А.О., Плешаков Е.І. Матеріалознавство. – Харків: ХНАДУ, 2007. – 440 с.
3. Бокштейн С.З. Строение и свойства металлических сплавов. – М.: Металлургия, 1971.
4. Шаскольская М. П. Кристаллография. – М.: Высшая школа, 1984.–391 с.
5. Новиков И. И. Дефекты кристаллического строения. – М.: Металлургия. 1983. – 238 с.
6. Уманский Я. С., Скаков Ю. А. Физика металлов. – М.: Атомиздат. 1978.
7. Мейер К. Физико-химическая кристаллография. Перев. с нем. –- М.: Металлургия, 1972. – 480 с.
8. Орлов А. Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. – М.: Высшая школа. 1983. – 143 с.
9. www.crystallography.net (Open Crystallography Database).
10. www.iucr.org (International Union of Crystallography).
11. cryst.ehu.es (Bilbao Crystallographic Server).

Поточний контроль: усне та письмове опитування, виконання та захист лабораторних робіт (40%).
Екзаменаційний контроль: письмово-усна форма (60%).