У результаті вивчення модуля студент повинен знати:
- принцип дiї, властивостi, основнi характеристики i параметри напiвпровiдникових приладiв на основi структур метал-окис-напiвпровiдник i елементiв iнтегральних мiкросхем;
- шляхи розвитку i сучасні проблеми в мікро- і наносистемній техніці.
Підготовлений фахівець повинен вміти:
- проводити математичний аналіз роботи напівпровідникових приладів в мікро- і наносистемній техніці;
- проводити аналіз зміни параметрів і властивостей приладів на основі структур метал-окис-напівпровідник і елементів ІС в залежності від режимів роботи.

пререквізит: Моделі явищ перенесення
- кореквізити: -

Квантово-розмірні ефекти в твердотільних приладах. Рiзновидностi транзисторних структур інтегральних схем. Особливостi МОН-транзисторiв з малими геометричними розмiрами. Польові транзистори з резонансним тунелюванням. Електронні прилади на наноструктурах.

Квантово-розмірні ефекти в твердотільних приладах. Рiзновидностi транзисторних структур інтегральних схем. Особливостi МОН-транзисторiв з малими геометричними розмiрами. Польові транзистори з резонансним тунелюванням. Електронні прилади на наноструктурах.
• Дружинiн А.О. Твердотільна електроніка: Фізичні основи і властивості напівпровідникових приладів: Навчальний посібник..- Львiв: видав.; НУ ЛП, 2009..-332 с.
• Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. -М.: Техносфера, 2007.-368 с.
• Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний – материал наноэлектроники.- М.: Техносфера, 2007.-352 с.

• Поточний контроль (30%): письмові звіти з лабораторних робіт, усне опитування
• Підсумковий контроль (70 %, іспит): тестування (30%).