У результаті вивчення дисципліни студент повинен:
- знати явища в напівпровідниках і діелектриках та закони , що їх описують;
- знати фізичні моделі будови кристалів та процеси , які в них відбуваються;
- вміти розраховувати та експериментально досліджувати параметри та різні характеристики напівпровідникових та діелектричних матеріалів;
- вміти аналізувати експериментальні дані на основі теоретичних моделей .

пререквізит: квантова механіка і статистична фізика;
кореквізити: твердотільна електроніка.

Рівняння Шредінгера для кристалу. Адіабатичне наближення. Одноелектронне наближення. Періодичне поле кристалічної решітки. Зони Бриллюена. Теорія квазівільного та квазізв"язаного електрона. Метод ефективної маси. Вплив зовнішніх полів на спектр енергії кристала. Локалізовані стани. Теорія домішкових станів. Поверхневі стани. Зонна структура кремнію та германію, сполук AIIBVI та AIIІBV . Статистика електронів та дірок. Густина станів. Концентрація електронів та дірок. Рівняння нейтральності. Власний напівпровідник. Напівпровідник з однією домішкою. Напівпровідник з акцепторною та донорною домішкою. Вироджений напівпровідник. Кінетичне рівняння Больцмана. Час релаксації. Густина електричного струму та потоку енергії. Електропровідність напівпровідників. Гальваномагнітні ефекти. Ефект Холла в області домішкової провідності та в напівпровіднику з носіями заряду різного типу.

П.С. Киреев. Физика полупроводников. - Высшая школа. Москва. -1975. - 584 с.
А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. - Наука. Москва. - 1978. - 616 с.
Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках. - Наука. Москва. - 1985. - 319 с.
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. - Наука. Москва. - 1977. - 672 с.

Поточний контроль 20% – захист лабораторних робіт (10%), практичні заняття (10%)
Підсумковий контроль 80 % – екзамен (письмові відповіді та усне опитування)