В результаті вивчення цього змістового модуля студент повинен:
– знати основні типи структур зінтегрованих мікросхем та технологічні процеси їх виготовлення, фізичні засади технологічних процесів та технічні особливості і можливості їх реалізації.
– вміти використовувати на практиці набуті знання щодо технології виготовлення зінтегрованих мікросхем, аналізувати фізико-хімічні процеси, які протікають при виготовленні зінтегрованих мікросхем, вибрати матеріал для виготовлення і обґрунтувати фізичну структуру зінтегрованої мікросхеми, удосконалювати технологічні процеси виготовлення зінтегрованих мікросхем та видозмінювати їх залежно від вимог до готової мікросхеми

пререквізит: Фізика, Технологічні основи електроніки, Твердотільна електроніка.
кореквізити: мікросхемотехніка

Загальні принципи та підходи до проблем технології виготовлення зінтегрованих мікросхем. Технологія створення біполярного транзистора і біполярних ЗіС. Технологія створення ЗіС на польових транзисторах. Напівпровідникові матеріали для зінтегрованих мікросхем. Технологія виготовлення та обробки підкладок для зінтегрованих мікросхем. Термічне окислення кремнію. Літографія в технології виготовлення зінтегрованих мікросхем. Дифузія в технології виготовлення зінтегрованих мікросхем. Іонна імплантація в технології виготовлення зінтегрованих мікросхем. Процеси епітаксії в технології виготовлення зінтегрованих мікросхем. Осадження полікристалічного кремнію. Металізація в технології виробництва зінтегрованих мікросхем. Виготовлення міжелементних з’єднань та контактів. Методи зборки та герметизації зінтегрованих мікросхем

С.П. Новосядлий Суб- і наномікронна технологія структур ВІС. Монографія.–МОНУ.–2010
Технология СБИС: в 2-х кн. Под ред. С. Зи, М: Мир, 1986.
В.Н. Черняев, Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров, М: Радио и связь, 1987.
И. Броудай, Дж. Мерей, Физические основы микротехнологии, М: Мир, 1985.
О.Д. Парфенов, Технология микросхем, М: Высшая школа, 1986.

Поточний контроль (30 %); підсумковий контроль (70 %)