Ви переглядаєте архівну версію офіційного сайту НУЛП (2005-2020р.р.). Актуальна версія: https://lpnu.ua
Фізична надійність наноелектронних пристроїв
Спеціальність: Прикладна фізика та наноматеріали
Код дисципліни: 6.105.00.M.96
Кількість кредитів: 6
Кафедра: Прикладна фізика і наноматеріалознавство
Лектор: Невідомо
Семестр: 6 семестр
Форма навчання: денна
Результати навчання:
В результаті освоєння дисципліни студент повинен:
знати:
• принципи функціонування та основні причини відмов сучасних мікроелектронних систем;
• механізми впливу зовнішніх факторів, що впливають на функціональні можливості мікроелектронних систем;
• основні методи забезпечення надійності сучасної мікроелектронної апаратури;
• основні методи і способи випробувань мікроелектронної апаратури на стійкість до впливів зовнішніх факторів;
• сучасні досягнення в галузі наноматеріалів і нанотехнологій, що відкривають нові можливості підвищення тактико-технічних характеристик радіоелектронних систем.
Вміти:
• якісно і кількісно оцінити фактори, що впливають на надійність функціонування мікросистеми на кристалі,
Володіти навиками проведення попередніх оцінок надійності мікросистемної техніки на робочий ресурс, механічні та кліматичні впливу.
знати:
• принципи функціонування та основні причини відмов сучасних мікроелектронних систем;
• механізми впливу зовнішніх факторів, що впливають на функціональні можливості мікроелектронних систем;
• основні методи забезпечення надійності сучасної мікроелектронної апаратури;
• основні методи і способи випробувань мікроелектронної апаратури на стійкість до впливів зовнішніх факторів;
• сучасні досягнення в галузі наноматеріалів і нанотехнологій, що відкривають нові можливості підвищення тактико-технічних характеристик радіоелектронних систем.
Вміти:
• якісно і кількісно оцінити фактори, що впливають на надійність функціонування мікросистеми на кристалі,
Володіти навиками проведення попередніх оцінок надійності мікросистемної техніки на робочий ресурс, механічні та кліматичні впливу.
Необхідні обов'язкові попередні та супутні навчальні дисципліни:
пререквізити:
«Загальна фізика»;
«Теорія ймовірностей»;
«Загальна фізика»;
«Теорія ймовірностей»;
Короткий зміст навчальної програми:
Класифікація мікроелектронних систем. Основні причини відмов мікроелектронних систем на кристалі. Загальна характеристика механічних впливів на напівпровідникові прилади і інтегральні мікросхеми в складі апаратури. Ударні впливу і їх характеристики. Вплив підвищених і знижених температур. Вплив агресивних середовищ. Електромагнітна сумісність. Радіаційні впливи. Вплив зовнішніх факторів на низькорозмірні структури, використовувані в мікро- і наноелектронних системах. Попередні теоретичні оцінки стійкості радіоелектронної апаратури до механічних і температурних впливів. Попередня оцінка надійності радіоелектронної апаратури на етапі її конструкторської розробки.
Рекомендована література:
1. Осадчук В. С.Фізична наноелектроніка : навчальний посібник / В. С. Осадчук, О.В. Осадчук. –Вінниця: ВНТУ, 2015. –146 с.
2. Чернышев А. А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: производственно-практическое издание. - М.: Мир, 1988.
3. Гридчин В.А. и др. Основы наноэлектроники.– НГТУ, 2004.
2. Чернышев А. А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: производственно-практическое издание. - М.: Мир, 1988.
3. Гридчин В.А. и др. Основы наноэлектроники.– НГТУ, 2004.
Методи і критерії оцінювання:
• письмові звіти з лабораторних робіт з усним опитуванням – 20 балів, практичні завдання – 20 балів;
• залікова контрольна робота – 60 балів: письмова форма – 50 балів і усна форма – 10 балів
• залікова контрольна робота – 60 балів: письмова форма – 50 балів і усна форма – 10 балів